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NTTFS5811NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
100 10 V
4.6 V
T J = 25 ° C
100
V DS ≥ 10 V
V GS = 5 V
80
60
40
4.2 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
80
60
40
T J = 25 ° C
20
0
0
1
2
3
3.2 V
3.0 V
4
5
20
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
0.016
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.010
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.014
0.012
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.008
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.010
0.008
0.006
0.004
0.006
0.004
V GS = 10 V
2
4
6
8
10
12
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 20 A
V GS = 10 V
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
0.8
0.6
1,000
100
T J = 125 ° C
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
5
15
25
35
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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